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CW32L010安(ān)全(quán)低功耗MCU,树立M0+产品行业新(xīn)标杆!
2024年9月26日,武(wǔ)汉luck18新利和芯源半导体CW32L010系(xì)列产品正(zhèng)式官方发(fā)布。这款产品以其(qí)卓越的产(chǎn)品性能,迅速(sù)在业界引(yǐn)起了(le)广泛关注,并成功树立M0+产品行(háng)业的新标杆。
CW32L010系列产(chǎn)品是基于 eFlash 的单芯片(piàn)低功耗微(wēi)控制器,集成了主频高达(dá) 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内(nèi)核、高速嵌入(rù)式存储(chǔ)器(多至 64K 字(zì)节 FLASH 和多至 4K 字(zì)节 SRAM)以及一系(xì)列全面的增强型外(wài)设和 I/O 口。
内部框图
所有型号都提供全套的通信(xìn)接口(二路 UART、一路 SPI 和一路(lù) I2C)、12 位高速 ADC、四组通用和基本定时(shí)器、一组(zǔ)低功耗定时器(qì)以及一组高级控制 PWM 定时器。
CW32L010 可以(yǐ)在 -40℃到 85℃的温度范围内工作,供电电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep两种低功(gōng)耗工作模式CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的温度范围内(nèi)工作(zuò),供电(diàn)电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和(hé)DeepSleep两种低功耗工作(zuò)模式。
产(chǎn)品(pǐn)优势(shì)
1,64K超大Flash存储容量
在微控制器(MCU)的众多特性中,eFlash存储(chǔ)容量是最主要的关键参数之(zhī)一(yī)。CW32L010系列产品存储容量最大 64K 字节 FLASH,数据保持 25 年(nián) @-40℃ ~ +85℃,支持擦写保(bǎo)护、读保护(hù)和安全(quán)运行库保护功能。
确保(bǎo)高访问速度(dù):可确保指令的(de)快速执行,满足实时(shí)性要求高的应用场景。
易于升(shēng)级迭代:在同等成本下(xià),扩大存(cún)储容量,为(wéi)用户提供同级最宽裕的程(chéng)序和非易失存储空间(jiān),使(shǐ)得产品在(zài)面临功能升级或迭代时,能够更加灵活地(dì)进行(háng)软件更新和扩展(zhǎn)。
减少EEPROM依赖:通过提(tí)供充足的非易失性存储,减少了对外部EEPROM的依赖,降低了系统成(chéng)本和(hé)复杂性。
耐用性(xìng)更高:Flash擦写(xiě)寿命高达10,000次,符合标杆要(yào)求,确保了产品的长(zhǎng)期稳定(dìng)运行。
2、黑(hēi)客(kè)级代码安全防护
在微控制器(qì)(MCU)领域,保护用(yòng)户的代码和知识(shí)产权(quán)至关重要。CW32L010系列MCU,以其创(chuàng)新的安全特性(xìng),为用(yòng)户提供了(le)一个(gè)坚不可(kě)摧的代码保护解决方案。
尽管(guǎn)目前大多数MCU都支持(chí)多种安全等级(jí),阻(zǔ)止通(tōng)过(guò)SWD/ISP接口读(dú)取Flash内容。但通过(guò)下载间谍程序,用挟持内核的方式对Flash指令区做数据访问一般都被允许。
CW32L010系(xì)列产(chǎn)品(pǐn)可以阻(zǔ)止这个入侵,我们允许(xǔ)用户(hù)划定(dìng)一块(kuài)指令存储区域,只能通过指令(lìng)总线(xiàn)取指令执行,不允许通过数据总线访(fǎng)问数据(jù)。在这个区域内,即使攻击者尝试通(tōng)过下载(zǎi)间(jiān)谍程序挟持内核,也(yě)无法访问这块被保护的存储区域。用户可以将包含敏感(gǎn)算法和关键功能的代码库存储在该(gāi)区域,确保这些核心(xīn)资产只能被(bèi)调(diào)用,无法(fǎ)被复制或篡(cuàn)改。
3、极限超(chāo)低(dī)功(gōng)耗0.3uA,85℃高温(wēn)漏电仅1.2uA
超低功耗工作模式非常多,一般用户较(jiào)关注(zhù)待机电流(常温/高温)、全速运行电(diàn)流(liú)等(děng)几个主要指标。
CW32L010采用特别工(gōng)艺制程,将待机(jī)电流控(kòng)制(zhì)在0.3uA,高(gāo)温待机电流是(shì)竞品平均(jun1)水平的1/4~1/8。
4、全新设计兼(jiān)容G4相关IP的高级定时器
高级定时(shí)器通(tōng)常用于三相PWM输出,经(jīng)常需要与ADC紧密配合使用。我们全(quán)新设计了高级定时器(qì),在(zài)对G4相关IP兼容的(de)同时还增加了部(bù)分特色功(gōng)能,例如PWM移相、多点比较等等,单(dān)个高级定(dìng)时器支持多达6对互补PWM输(shū)出。
多种灵活的PWM移相模式:在(zài)保持占空比不变(biàn)的同时,可根据采样时机的需求调整PWM边沿位置。
5、RTC补偿精度是0.060ppm,支持(chí)亚(yà)秒级读数
CW32L010在(zài)设计时(shí)对RTC补偿机制进行了优化,可选择32,128,256秒为一个补偿周期,最精细的补偿(cháng)精度可达到0.060ppm,支持亚秒级读数。
6、全面(miàn)升(shēng)级的低功耗串(chuàn)口,支(zhī)持LIN、RS485硬件使能
低(dī)功耗串口(kǒu)接收数据(jù)可灵活配(pèi)置接口(kǒu)电(diàn)平,可(kě)产生关键字(zì)中断和帧超时(shí)中断,支持LIN、RS485硬件使能、TXD和RXD互换及内(nèi)部回环(huán)功能、LSB/MSB硬件(jiàn)转换。
7、85℃ Latch Up测试成(chéng)绩优异,闩锁(suǒ)门(mén)限(xiàn)测试成(chéng)绩(jì)高达±600mA
在MCU的(de)设计和应用中,静电放电(ESD)的防护能力(lì)是衡量产(chǎn)品可靠性(xìng)的重要(yào)指(zhǐ)标之一。其中高温Latch Up(闩锁)测试可以(yǐ)说明一定问题,CW32L010在高温Latch Up(闩锁)测(cè)试(shì)中表(biǎo)现(xiàn)出色,闩锁门限测试成绩高达±600mA,远高于行(háng)业(yè)一般水平,相比竞品(pǐn)一般水平(píng)为3~6倍。强大的(de)ESD防护能够保护MCU内部数据不受静电放电的影(yǐng)响以及在各种环境下的长期(qī)稳定运行。
8、16路ADC输入2M采样率(lǜ),采样保持时间可独立配置(zhì)
9、内部时钟源特性无惧挑剔(tī)
在(zài)当(dāng)前的电子市(shì)场(chǎng),"低成本内卷(juàn)"已成为一个不可忽(hū)视的现象(xiàng)。在这(zhè)一背景(jǐng)下,外置晶体的(de)成本优(yōu)化变得尤为重要,这(zhè)一(yī)指标考验的(de)是MCU内置RC时钟源的技术特性。CW32L010的内置(zhì)时钟源,不论是HSI还是LSI,都大幅优于竞品。
CW32L010系列产品基(jī)于华虹(hóng)半导体最新的90nm超低漏电嵌(qiàn)入式闪(shǎn)存工艺,极其出色的性能和更合理(lǐ)的价格定(dìng)位,为用户带(dài)来了极具竞争(zhēng)力的选择,实现了高(gāo)性能(néng)与低成本(běn)的完美结合。
CW32L010系列(liè)产品提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三种不同的封装形式,不同封装的产品所能(néng)实现的功能有所不同,具体情况如下表所示(shì):
CW32L010 家(jiā)族产品功能列(liè)表
CW32L010系(xì)列产品的(de)发(fā)布,是武汉luck18新利和芯源半导体(tǐ)对(duì)市场(chǎng)需求(qiú)的积(jī)极响(xiǎng)应,也(yě)是公司持续创(chuàng)新和技术研发实力的展现。随着(zhe)这(zhè)款产品的正式上市(shì),预计将推动(dòng)公司(sī)业(yè)务的增长,并(bìng)为合(hé)作伙伴(bàn)和(hé)客户(hù)带来更多价(jià)值。让我们共同(tóng)期待(dài)CW32L010系列(liè)产品在未来的精彩表现!同时(shí),我(wǒ)们也期待与您携手合作,共创更加美好的未来!