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漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大漏极电流Id(on)(A)：

7

通道极性（xìng）：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

PDFN5*6/-55~125

描述：

650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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