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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

530

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

580

最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

8

通道（dào）极（jí）性（xìng）：

N沟道

封装/温（wēn）度（dù）(℃)：

TO-252-2L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

550V,580mΩ,8A,N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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