luck18新利



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

5

通道极性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述（shù）：

650V,850mΩ,5A,N沟（gōu）道（dào）基于超级（jí）结（jié）技术的功（gōng）率MOSFET



luck18新利

luck18新利