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功率器件SJ-MOSFET产品优势及应用（yòng）点击查看选型表

SJ-MOSFET产品优势

晶（jīng）圆工艺（yì）: 采用2.5代（dài）深（shēn）槽（ Deep-Trench ）超结（jié）工艺，更少（shǎo）的光罩层数（shù），生产周期（qī）更短，更具成本优（yōu）势
低（dī）内阻: 特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面（miàn）积情（qíng）况下（xià）降低到VDMOS的1/3-1/5
更（gèng）高效率: 较高的轻（qīng）载，满载效率，超低的（de）导通（tōng）内（nèi）阻，有效的（de）降低导（dǎo）通、开关损耗
低温（wēn）升: 较低的（de）功耗，有效（xiào）的（de）降低（dī）电源整体的工作温度，延长电源（yuán）的使用寿命
易用性: 使用过程中简单易用，驱（qū）动电（diàn）流（liú）需求小，对新一代高速开关电源提供有（yǒu）力的支持
应用范围广: 适宜于对系统效率有更高要求的照明（míng）应用、各类电源、适配（pèi）器及智能手机、平板电脑充电（diàn）器中，以及大功率充电桩， LED电（diàn）源（yuán）、通讯、服务器电源等

SJ-MOSFET产品（pǐn）应用（yòng）