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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

47

通道极性：

N沟（gōu）道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描（miáo）述：

600V,70mΩ,47A,N沟（gōu）道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


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